新光硅業(yè)公司承擔的年產(chǎn)1000噸多晶硅項目，是國家的高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程。在省委、省政府的領(lǐng)導下，在省國資委的大力支持和幫助下，在公司董事會的直接指揮下，項目于2007年2月勝利實現(xiàn)了一次投料試車出合格產(chǎn)品的目標，并取得了當年投產(chǎn)當年創(chuàng)造效益的驕人成績。這標志著我國多晶硅生產(chǎn)技術(shù)打破了國外的長期壟斷和封鎖，推動我國多晶硅產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)了歷史性跨越。
在學習實踐科學發(fā)展觀的活動中，公司認為，如果我們只建成千噸級多晶硅生產(chǎn)線，而不能在研制中國的多晶硅技術(shù)質(zhì)量標準方面有所作為，新光就不能實現(xiàn)持續(xù)發(fā)展、科學發(fā)展，更不能在國際市場與國際同行同臺競技。公司充分發(fā)揮自身的技術(shù)優(yōu)勢，主動承擔了《低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)標準方法》和《酸浸取—ICP/MS測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)標準方法》兩項涉及多晶硅的檢測標準的研制工作在10月份取得重大進展。經(jīng)全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分析技術(shù)委員會近期組織全國20家單位28名專家評審，一致認為：由新光公司研制的《低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)標準方法》在國內(nèi)屬于首次采用，有利于促進我國半導體行業(yè)標準與國際先進標準接軌，達到國際先進水平；《酸浸取—ICP/MS測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)標準方法》也達到了國際一般水平。同意上報國家標準化委員會批復(fù)。
這兩項多晶硅產(chǎn)品檢測標準研制所取得的成績，填補了國內(nèi)空白，展現(xiàn)了公司在國內(nèi)同行保持領(lǐng)先技術(shù)實力，有利于擴大我公司在產(chǎn)品技術(shù)質(zhì)量標準制定中的影響力，是在開展學習實踐科學發(fā)展觀活動學以致用的生動體現(xiàn)。公司將總結(jié)經(jīng)驗，再接再厲，不斷把學習實踐活動引向深入，抓好結(jié)合，取得更多更好的成效。
